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射频集成电路CAD讨论

发布时间:2021-06-24

 近年来,无线通信市场的蓬勃发展,特别是移动电话、无线因特网接入业务的兴起使人们对无线通信技术提出了更高的要求。体积小、重量轻、低功耗和低成本是无线通信终端发展的方向,射频集成电路技术(RFIC)在其中扮演着关键角色。RFIC的出现和发展对半导体器件、射频电路分析方法,乃至接收机系统结构都提出了新的要求。

        半导体器件技术

        在RF领域中, 性能、工艺的要求要比数字集成电路本身复杂得多。其中,功耗、速度、成品率是最主要的参数。同时,RF IC还要考虑到噪声(宽带和窄带)、线性度、增益和功效。这样, 应用于RF IC中的优化器件一直在不断完善和发展。不同的RF功能部分将在不同的半导体器件工艺上实现。目前,RFIC中使用的半导体工艺主要有Si、SiGe、GaAs和InP。

● 硅器件:硅集成电路计有硅双极晶体管(Si-Bipolar Transistor)、硅-互补式金氧半导体(Si-CMOS)、硅双极互补式金氧半导体(Bi-CMOS)或硅锗异质接面双极晶体管(SiGe HBT)。

        目前通信的频率大抵在2 GHz以下,除功率放大器外,硅集成电路在射频/中频模块较占优势,硅工艺因具有大量的产能,可以由射频/中频/基频组成单芯片混合模式集成电路(single chip mixed mode IC),并且可以单电源操作,在价格、积体化程度上远超过砷化镓器件,砷化镓与硅集成电路,因为材料特性的不同,设计的方法也大不相同,硅材料由于没有半绝缘基板(Semi-insulation substrate),等于在一个高损耗的基板上做电路设计,再加上器件本身的增益较低,若要达到与砷化镓相当的高频电性,硅RFIC全系于晶体管微小化(如次微米RF CMOS)或材料结构的改善(如SiGe异质接面晶体管),来提高器件的特征频率fT。也必须借助沟槽隔离(trench isolation)等工艺,提高电路间的隔离度与Q值,工艺繁复、光罩数众多,不良率与成本也大幅提高,高频模型也因为杂散效应明显,不易掌握。目前硅工艺已可胜任超过5 GHz以上的RFIC,但对具低噪声放大器、高功率放大器与开关器等射频前端仍有不足,故硅工艺的器件,将被定位于中频模块或低层(low tier)的射频模块。

        需要特别指出的是,在无线收发器中,数字信号处理部分使用标准Si-CMOS工艺,通常占到芯片面积的75%以上,集成度及功耗等指标的要求使得他不可能用CMOS以外的其他工艺实现,所以只有实现CMOS集成射频前端,才能实现单片集成的收发器并最终实现单片集成的移动通信产品。目前随着CMOS工艺的发展,它的单位增益截止频率已经接近GaAs水平,同时出现了一些采用CMOS工艺实现的射频前端的单元电路及收发器。这也使得采用CMOS工艺实现移动通信产品的单芯片集成成为可能。此外,CMOS工艺与其它工艺相比,集成度更高,成本低,功耗低,使得对它成为RFIC发展的主流方向。

        ● 砷化镓器件:砷化镓器件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅器件,空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT),在3 V电压操作下可以有80 %的功率增加效率(PAE: power added efficiency),非常适用于高层(high tier)的无线通信中长距离、长通信时间的需求,然而二者皆需要负电源,将增加产品使用的成本,HEMT器件繁复的长晶与闸级宽度的控制,也影响工艺之一致性及易产性。增进型(enhancement mode) E-mode MESFET/ HEMT,因为无需负电源,同时可维持其功率放大器之优良特性,惟其输出功率将被限制。异质双极晶体管(HBT)是另外一无需负电源的砷化镓器件,其功率密度(power density)、电流推动能力(current drive capability)与线性度(linearity)均超过FET,适合设计高功率、高效率、高线性度的微波放大器,HBT为最佳器件的选择。而HBT器件在相位噪声,高gm、高功率密度、崩溃电压与线性度上占优势,另外它可以单电源操作,因而简化电路设计及次系统实现的难度,十分适合于射频及中频收发模块的研制,特别是微波信号源与高线性放大器等电路。

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